Компании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Компания SK hynix, один из крупнейших производителей микросхем памяти в мире, объявила финансовые результаты IV квартала и 2024 года в целом. Компания отметила, что были достигнуты рекордные показатели благодаря высокому спросу на ряд её продуктов, в том числе на память HBM, которая используется в ИИ-ускорителях. SK hynix объявила, что были достигнуты лучшие финансовые показатели за год за всю её историю — по выручке, операционной прибыли и чистой прибыли.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix за IV квартал составила ₩19,76 вон ($13,76 млрд), что на 74,7 % больше год к году и на 12 % последовательно при консенсус-прогнозе аналитиков, опрошенных LSEG, в ₩19,76 трлн вон, а операционная прибыль подскочила на 2236 % до ₩8,08 трлн (около $5,6 млрд) или на 15 % последовательно. Прогноз Уолл-стрит, согласно данным LSEG, равен ₩8,08 трлн. Чистая прибыль в размере ₩8 трлн (около $5,56 млрд) заметно контрастирует с убытком в ₩1,38 трлн (около $960 млн) годом ранее. По словам SK hynix, чипы HBM принесли ей 40 % от общего дохода от производства DRAM.

Согласно данным ресурса The Korea Times, SK hynix впервые опередила по квартальной операционной прибыли своего конкурента и крупнейший бизнес страны Samsung Electronics, став лидером по этому показателю в Южной Корее.

За 2024 год выручка SK hynix составила ₩66,19 трлн (около $45,97 млрд), превысив показатель предыдущего года на 102 %. Операционная прибыль равняется ₩23,47 трлн (около $16,4 млрд) по сравнению убытками в 2023 году и чистая прибыль — ₩19,8 трлн (около $13,8 млрд, в 2023 году — убытки). Выручка SK hynix от HBM увеличилась в 2024 году более чем в 4,5 раза по сравнению с 2023 годом. Компания отметила, что «сектор памяти трансформируется в рынок высокопроизводительной и высококачественной памяти с ростом спроса на память для ИИ». Также в 2024 году продажи серверных SSD подскочили на 300 % благодаря высокому спросу со стороны провайдеров ЦОД.

Однако акции SK hynix упали на 4,7 % после того, как финансовый директор Ким У-хен (Kim Woo-hyun) предупредил о слабом спросе, растущей конкуренции и растущей рыночной неопределённости, пишет Reuters. «В этом году рынок микросхем памяти остается неопределённым, поскольку растёт торговый протекционизм и углубляются геополитические риски, в то время как производители ПК и смартфонов корректируют запасы», — сообщил финансовый директор в ходе отчёта о финансовых результатах. До объявления финансовых результатов акции SK hynix выросли с начала года примерно на 30 %.

Вместе с тем SK hynix прогнозирует рост спроса на HBM и высокоплотную серверную DRAM для HPC-нагрузок «по мере роста инвестиций крупных мировых технологических компаний в ИИ-серверы и повышения значимости инференса», пишет Blocks & Files. Korean Times сообщает, что SK hynix ожидает, что её продажи памяти HBM удвоятся в 2025 году. Вместе с тем компания заявила, что поставки чипов DRAM и NAND снизятся на 10–20 % в I квартале по сравнению с предыдущим. Согласно Reuters, компания сообщила аналитикам, что её капитальные расходы в 2025 году вырастут лишь незначительно год к году, и этот консервативный план усилил опасения рынка по поводу замедления спроса.

В комментарии к финансовому отчёту SK hynix говорится, что в I половине этого года на чипы HBM3E будет приходиться более половины дохода от памяти HBM. Компания полагает, что 12-ярусная HBM4 станет её флагманским продуктом в 2026 году. В этом году SK hynix планирует завершить её разработку и начать подготовку к массовому производству во II полугодии. Поставки HBM4 начнутся с чипов 12-Hi, а затем последуют и 16-Hi. «Ожидается, что 16-ярусные чипы будут поставляться в соответствии с требованиями клиентов, вероятно, во II половине 2026 года», — сообщила компания.

Компания SK hynix анонсировала SSD семейства PS1012, выполненные в форм-факторе U.2 SFF. Эти накопители большой ёмкости рассчитаны на современные дата-центры, спроектированные для ИИ-нагрузок. Пробные поставки новинок начнутся до конца текущего месяца.

В основу изделий PS1012 положены микрочипы флеш-памяти QLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 13 Гбайт/с, что, как утверждается, вдвое больше по сравнению с продуктами предыдущего поколения.

Вместимость новинки составляет 61,44 Тбайт. В разработке также находится вариант ёмкостью 122 Тбайт, который планируется представить в III квартале следующего года. Кроме того, SK hynix намерена вывести на рынок SSD, способные хранить 244 Тбайт информации. В основу этих устройств лягут 321-слойные чипы флеш-памяти 4D NAND.

Источник изображения: SK hynix

«По мере стремительного развития ИИ спрос на высокопроизводительные твердотельные накопители корпоративного класса быстро растёт, а технология QLC , обеспечивающая высокую ёмкость, становится отраслевым стандартом. SK hynix следует этой тенденции и представляет новый продукт на 61 Тбайт», — говорится в заявлении компании.

Отмечается, что накопители PS1012 соответствуют стандарту Open Compute Project (OCP) 2.0. Прочие технические характеристики пока не раскрываются. Образцы SSD планируется предоставить ведущим мировым производителям серверов для оценки.

Компания SK hynix на мероприятии SK AI Summit в Сеуле (Южная Корея) сообщила о разработке первых в отрасли 16-ярусных чипов памяти HBM3E, ёмкость которых составляет 48 Гбайт. Клиенты получат образцы таких изделий в начале 2025 года.

Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг (Kwak Noh-Jung) сообщил, что компания намерена трансформироваться в поставщика ИИ-памяти «полного стека». Ассортимент продукции будет охватывать изделия всех типов — от DRAM до NAND. При этом планируется налаживание тесного сотрудничества с заинтересованными сторонами.

Источник изображения: techpowerup.com

При производстве 16-Hi HBM3E компания будет применять передовую технологию Advanced MR-MUF, которая ранее использовалась при изготовлении 12-слойных продуктов. Память рассчитана на высокопроизводительные ИИ-ускорители. Утверждается, что 16-ярусные изделия по сравнению с 12-слойными аналогами обеспечивают прирост быстродействия на 18 % при обучении ИИ-моделей и на 32 % при инференсе.

SK hynix намерена предложить заказчикам кастомизируемые решения HBM с оптимизированной производительностью, которые будут соответствовать различным требованиям к ёмкости, пропускной способности и функциональности. Плюс к этому SK hynix планирует интегрировать логику непосредственно в кристаллы HBM4. Ранее говорилось, что компания рассчитывает начать поставки памяти HBM4 заказчикам во II половине 2025 года.

В числе других готовящихся продуктов SK hynix упоминает модули LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) для ПК и ЦОД, решения LPDDR5 и LPDDR6 с технологией производства 1c-класса, SSD с интерфейсом PCIe 6.0, накопители eSSD и UFS 5.0 большой вместимости на основе чипов флеш-памяти QLC NAND.

Производитель электромобилей и разработчик других умных машин Tesla обсуждает с южнокорейской SK Hynix возможный заказ SSD корпоративного класса на сумму ₩1 трлн (около $725 млн), передаёт The Korea Economic Daily.

Solidigm, дочерняя компания SK hynix, отмечает, что без ёмких и быстрых SSD работа с ИИ невозможна. Предполагается, что Tesla столь большая закупка SSD нужен как раз для развития ИИ-инфраструктуры. Компания вот-вот запустит ИИ-кластер из 50 тыс. NVIDIA H100. Также у неё есть собственный ИИ-суперкомпьютер Dojo, а в целом в этом году капитальные затраты за год, как ожидается, превысят $11 млрд. Значительная часть из них уйдёт как раз на ИИ ЦОД.

Как уточняет ресурс Blocks & Files, поставщиками All-Flash СХД для обеих систем являются несколько вендоров. В данном случае, судя по всему, идёт закупке QLC-накопителей D5-P5336 ёмкостью 61,44 Тбайт. За указанную сумму можно приобрести порядка 100–200 тыс. накопителей суммарной ёмкостью от 10 Эбайт — конкретные значения будут зависеть от размера скидки, а при такой крупной закупке она обязательно будет.

Источник изображения: Tesla

На прошлой неделе SK hynix заявила, что в III квартале она практически удвоила прибыль. SK Hynix намерена наращивать инвестиции в чипы, связанные с ИИ-технологиями — SSD и HBM. Ожидается, что спрос на них и в следующем году будет весьма высок. В компании игнорируют опасения отраслевых экспертов, предрекающих «зиму» спроса на чипы памяти. Наоборот, компания рассчитывает на дефицит поставок памяти для ИИ-ускорителей из-за огромного спроса на соответствующую продукцию.